RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
52
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
52
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2306
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link