RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
52
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,479.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,226.4
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,479.2
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
590
2062
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link