Comparação RAM G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Pontuação geral

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

27 52

Por volta de -93% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

11.8 1,479.2

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 5300

Por volta de 3.62 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

590 2062

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns