RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
3961
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link