RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
36
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
19
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
3435
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link