RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
36
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2803
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link