RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
36
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
19
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
18.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
3543
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link