RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
61
65
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
2,077.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
65
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
1921
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link