RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
61
Wokół strony -118% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
3247
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link