RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
61
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
3230
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link