RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
61
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
2,077.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
2388
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991763 (996763) 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link