RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
61
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
3206
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link