RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
61
Wokół strony -118% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
3717
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link