RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
61
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
2,077.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
1890
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link