RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
54
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3505
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link