RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
41
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
3157
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link