RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
41
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
17.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2016
3157
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link