RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
39
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
38
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
13.8
Скорость записи, Гб/сек
7.2
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
2404
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link