RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
57
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
57
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2328
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link