RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
57
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
57
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2328
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link