RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
61
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
3342
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link