RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
54
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3066
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link