RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
54
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3066
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link