RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
54
Около -145% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3066
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link