RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
54
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3051
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link