RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
54
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
40
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3011
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link