RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
54
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3559
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link