RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
65
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.7
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
58
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
1740
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link