RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
54
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3460
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link