RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
54
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2650
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link