RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
73
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2926
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link