RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
54
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2221
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link