RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
54
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3593
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link