RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
54
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3131
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link