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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
比较
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
总分
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
54
左右 -64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.3
1,308.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
33
读取速度,GB/s
3,573.5
15.5
写入速度,GB/s
1,308.1
13.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
371
3131
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
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