RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
54
Wokół strony -184% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3821
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link