RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
54
Wokół strony -184% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3821
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-048.A00LF 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link