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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
54
Por volta de -184% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.1
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
19
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
20.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
17.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
3821
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
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