RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
54
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2659
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link