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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
比较
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
总分
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
54
左右 -80% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
1,308.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
30
读取速度,GB/s
3,573.5
12.6
写入速度,GB/s
1,308.1
8.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
371
2659
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
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