RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
54
Wokół strony -170% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3726
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link