RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
54
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3736
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link