RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
54
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
18
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3668
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663QZ3-CE7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
INTENSO 5641152 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663QZ3-CE7 2GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link