RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
54
Rund um -200% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.0
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
20.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
17.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
3668
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link