RAM-Vergleich AMD R538G1601U2S 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

AMD R538G1601U2S 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Gesamtnote

AMD R538G1601U2S 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
AMD R538G1601U2S 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

19 31

Rund um 39% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

20.5 18.4

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

15.5 12.3

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 12800

Rund um 2 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

AMD R538G1601U2S 8GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

3189 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns