RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
66
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
66
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
1877
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link