RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
66
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.9
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
66
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
1877
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link