RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
54
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3331
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link