RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
54
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2319
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link