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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
11.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
54
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
34
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
11.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
2319
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
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