RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
54
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3711
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link