RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
54
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.1
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3711
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link