RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
54
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2512
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link